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    在熱氧化過程中，經常會引入一種缺陷，稱為氧化層錯。自1963年首次觀察到熱氧化層錯到現(xiàn)在，國內外都做了大量工作，對它有了初步的認識，但有些問題仍不很清楚，有待于更深入的研究。

    把按規(guī)定時間腐蝕好的硅的表面，放在光學顯微鏡下便可看到一種沿方向的桿狀缺陷，這種桿狀缺陷隨著腐蝕的時間增加長度不變，但會逐漸變成啞鈴狀，進而成半月狀，也可能成為橢圓狀，這就是熱氧化后產生的氧化層錯。

    熱氧化層錯的形成是在含氧的氣拭中，由表面或體內的某些缺陷先構成層錯的核，然后高溫下核逐步長大形成層錯，其機理是較復雜的，通常形成層錯核的原因有幾個:硅片表面的機械損傷、離子注入的損傷、鈉離子和氟離子的沾污、點缺陷的凝聚及氧化物的沉淀等。表面的機械損傷和化學污染形成的層錯為表面型氧化層錯，而由晶體內缺陷形成的層錯為體內型氧化層錯。

    熱氧化層錯的存在會造成雜質的局部堆集，形成擴散管道，造成發(fā)射極一集電極短路。器件的漏電流隨層錯密度增加而增加，PN結的擊穿電壓也會隨層錯密度增加而降低，對于MOS器件，它能使柵電極下產生較大的暗電流?？傊畬渝e的存在會降低器件的成品率。尤其是對中大規(guī)模電路影響更大，必須引起足夠重視。