發(fā)布時間：2012-10-09

    在熱氧化過程中，經(jīng)常會引入一種缺陷，稱為氧化層錯。自1963年首次觀察到熱氧化層錯到現(xiàn)在，國內(nèi)外都做了大量工作，對它有了初步的認(rèn)識，但有些問題仍不很清楚，有待于更深入的研究。

    把按規(guī)定時間腐蝕好的硅的表面，放在光學(xué)顯微鏡下便可看到一種沿方向的桿狀缺陷，這種桿狀缺陷隨著腐蝕的時間增加長度不變，但會逐漸變成啞鈴狀，進(jìn)而成半月狀，也可能成為橢圓狀，這就是熱氧化后產(chǎn)生的氧化層錯。

    熱氧化層錯的形成是在含氧的氣拭中，由表面或體內(nèi)的某些缺陷先構(gòu)成層錯的核，然后高溫下核逐步長大形成層錯，其機(jī)理是較復(fù)雜的，通常形成層錯核的原因有幾個:硅片表面的機(jī)械損傷、離子注入的損傷、鈉離子和氟離子的沾污、點(diǎn)缺陷的凝聚及氧化物的沉淀等。表面的機(jī)械損傷和化學(xué)污染形成的層錯為表面型氧化層錯，而由晶體內(nèi)缺陷形成的層錯為體內(nèi)型氧化層錯。

    熱氧化層錯的存在會造成雜質(zhì)的局部堆集，形成擴(kuò)散管道，造成發(fā)射極一集電極短路。器件的漏電流隨層錯密度增加而增加，PN結(jié)的擊穿電壓也會隨層錯密度增加而降低，對于MOS器件，它能使柵電極下產(chǎn)生較大的暗電流?？傊畬渝e的存在會降低器件的成品率。尤其是對中大規(guī)模電路影響更大，必須引起足夠重視。